Физические основы роста кристаллов. Ч.1
| Подзаголовок: | Учебное пособие |
| Издательство: | Тверской государственный университет |
| Авторы: | Каплунов И.А., Иванова А.И., Третьяков С.А. |
| Год издания: | 2023 |
| ISBN: | 978-5-7609-1829-1 |
| Тип издания: | учебное пособие |
| Гриф: |
Библиографическая запись
Каплунов, И. А. Физические основы роста кристаллов. Ч.1 : учебное пособие / И. А. Каплунов, А. И. Иванова, С. А. Третьяков. — Тверь : Тверской государственный университет, 2023. — 83 c. — ISBN 978-5-7609-1829-1. — Текст : электронный // Электронный ресурс цифровой образовательной среды СПО PROFобразование : [сайт]. — URL: https://profspo.ru/books/136333 (дата обращения: 14.06.2026). — Режим доступа: для авторизир. пользователей
Об издании
Рассмотрены основные теоретические и практические вопросы роста кристаллов. Описаны структурные и фазовые особенности кристаллических материалов, рассмотрено влияние дефектов на свойства кристаллов, представлены методы управления структурой и свойствами материалов, физические и технологические аспекты процессов выращивания монокристаллов. Пособие предназначено для студентов бакалавриата и магистратуры направлений 03.03.03, 03.04.03 Радиофизика профиль «Физика и технология радиоэлектронных приборов и устройств», 03.03.02, 03.04.02 Физика профиль «Физика конденсированного состояния вещества», а также для аспирантов, специализирующихся в области физики конденсированного состояния вещества.
Рекомендуем
Проектирование предприятий общественного питания
Устройство автомобиля
