Физические основы роста кристаллов. Ч.1

Каплунов И.А., Иванова А.И., Третьяков С.А.

Характеристики

ПодзаголовокУчебное пособие

ИздательствоТверской государственный университет

Год издания2023

ISBN 978-5-7609-1829-1

Тип изданияучебное пособие

Библиографическая запись

Каплунов, И. А. Физические основы роста кристаллов. Ч.1 : учебное пособие / И. А. Каплунов, А. И. Иванова, С. А. Третьяков. — Тверь : Тверской государственный университет, 2023. — 83 c. — ISBN 978-5-7609-1829-1. — Текст : электронный // Электронный ресурс цифровой образовательной среды СПО PROFобразование : [сайт]. — URL: https://profspo.ru/books/136333 (дата обращения: 13.09.2026). — Режим доступа: для авторизир. пользователей

Скачать библиографическую запись

Об издании

Рассмотрены основные теоретические и практические вопросы роста кристаллов. Описаны структурные и фазовые особенности кристаллических материалов, рассмотрено влияние дефектов на свойства кристаллов, представлены методы управления структурой и свойствами материалов, физические и технологические аспекты процессов выращивания монокристаллов. Пособие предназначено для студентов бакалавриата и магистратуры направлений 03.03.03, 03.04.03 Радиофизика профиль «Физика и технология радиоэлектронных приборов и устройств», 03.03.02, 03.04.02 Физика профиль «Физика конденсированного состояния вещества», а также для аспирантов, специализирующихся в области физики конденсированного состояния вещества.