Высотные здания. Особенности архитектурного проектирования

Рейтинг издания

Высотные здания. Особенности архитектурного проектирования

Подзаголовок: Учебное пособие
Издательство:
Воронежский государственный технический университет, ЭБС АСВ
Авторы:
Пупавцев Р.Н., Семенова Н.В.
Год издания: 2021
Научная школа: Воронежский государственный технический университет
ISBN: 978-5-7731-0935-8
Тип издания: учебное пособие
Гриф:

Библиографическая запись

Пупавцев, Р. Н. Высотные здания. Особенности архитектурного проектирования : учебное пособие / Р. Н. Пупавцев, Н. В. Семенова. — Воронеж : Воронежский государственный технический университет, ЭБС АСВ, 2021. — 87 c. — ISBN 978-5-7731-0935-8. — Текст : электронный // Электронный ресурс цифровой образовательной среды СПО PROFобразование : [сайт]. — URL: https://profspo.ru/books/111497 (дата обращения: 18.06.2026). — Режим доступа: для авторизир. пользователей

Об издании

Рассматривается своеобразие архитектурного проектирования высотных зданий с учетом средовых факторов, принципов энергоэффективности и оптимизации микроклимата. Раскрываются особенности объемно-пространственных решений, а также композиционные и художественные аспекты формообразования высотной архитектуры. Представлены концептуальные поиски архитектурных решений высотных зданий. Для закрепления материала предложены контрольные вопросы, для углубленного изучения темы – глоссарий и библиографический список рекомендуемой литературы. Издание предназначено студентам направления подготовки 07.03.01 «Архитектура».

Рекомендуем

Английский язык. 10 класс. Базовый уровень. ЭФУ
Английский язык. 10 класс. Базовый уровень. ЭФУ
Биболетова М.З., Бабушис Е.Е., Снежко Н.Д.

Литература. 10 класс. Базовый уровень. ЭФУ. В 2 частях. Часть 1
Литература. 10 класс. Базовый уровень. ЭФУ. В 2 частях. Часть 1
Лебедев Ю. В.

Микроэлектронные измерительные преобразователи
Микроэлектронные измерительные преобразователи
Топильский В.Б.

Биология. 11 класс: базовый уровень
Биология. 11 класс: базовый уровень
Беляев Д.К., Бородин П.М., Дымшиц Г.М.,…